SI2312BDS-T1-GE3 Preise (USD) [529776Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- SI2312BDS-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix SI2312BDS-T1-GE3 elektronische Komponenten. SI2312BDS-T1-GE3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SI2312BDS-T1-GE3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
SI2312BDS-T1-GE3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SI2312BDS-T1-GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
Serie :
TrenchFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
3.9A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
31 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
850mV @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
12nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
-
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
750mW (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
SOT-23-3 (TO-236)
Paket / fall :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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