IPS80R2K4P7AKMA1 Preise (USD) [93521Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IPS80R2K4P7AKMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 800V 2.5A TO251-3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
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- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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IPS80R2K4P7AKMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPS80R2K4P7AKMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 800V 2.5A TO251-3
Serie :
CoolMOS™ P7
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
2.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.4 Ohm @ 800mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 40µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
7.5nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
150pF @ 500V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
22W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
PG-TO251-3
Paket / fall :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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