Vishay Siliconix - SIHA15N60E-E3

KEY Part #: K6393723

SIHA15N60E-E3 Preise (USD) [27668Stück Lager]

  • 1 pcs$1.48957
  • 10 pcs$1.34369
  • 100 pcs$1.02447
  • 500 pcs$0.79680
  • 1,000 pcs$0.66020

Artikelnummer:
SIHA15N60E-E3
Hersteller:
Vishay Siliconix
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 15A TO-220.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - TRIACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - IGBTs - Single, Dioden - Zener - Single, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) and Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix SIHA15N60E-E3 elektronische Komponenten. SIHA15N60E-E3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SIHA15N60E-E3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHA15N60E-E3 Produkteigenschaften

Artikelnummer : SIHA15N60E-E3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 15A TO-220
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 15A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 280 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 76nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1350pF @ 100V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 34W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-220 Full Pack
Paket / fall : TO-220-3 Full Pack