TK60E08K3,S1X(S Preise (USD) [53208Stück Lager]
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- 50 pcs$0.64847
- Artikelnummer:
- TK60E08K3,S1X(S
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 75V 60A TO-220AB.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - JFETs, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Dioden - Zener - Single, Thyristoren - DIACs, SIDACs and Transistoren - IGBTs - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Toshiba Semiconductor and Storage TK60E08K3,S1X(S elektronische Komponenten. TK60E08K3,S1X(S kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu TK60E08K3,S1X(S haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
TK60E08K3,S1X(S Produkteigenschaften
Artikelnummer :
TK60E08K3,S1X(S
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
MOSFET N-CH 75V 60A TO-220AB
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
75V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
60A
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
9 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
75nC @ 10V
Vgs (Max) :
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
-
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
128W
Betriebstemperatur :
-
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-220-3
Paket / fall :
TO-220-3
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