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- Artikelnummer:
- TK4A60D(STA4,Q,M)
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 600V 4A TO-220SIS.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Leistungstreibermodule, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - JFETs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF and Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Toshiba Semiconductor and Storage TK4A60D(STA4,Q,M) elektronische Komponenten. TK4A60D(STA4,Q,M) kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu TK4A60D(STA4,Q,M) haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
TK4A60D(STA4,Q,M) Produkteigenschaften
Artikelnummer :
TK4A60D(STA4,Q,M)
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
MOSFET N-CH 600V 4A TO-220SIS
Serie :
π-MOSVII
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
4A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.7 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.4V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
12nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
600pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
35W (Tc)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-220SIS
Paket / fall :
TO-220-3 Full Pack
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