FDMA410NZ Preise (USD) [390893Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- FDMA410NZ
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-MICROFET.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - TRIACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Dioden - Zener - Arrays, Thyristoren - SCRs - Module, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Thyristoren - DIACs, SIDACs and Dioden - Brückengleichrichter ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FDMA410NZ elektronische Komponenten. FDMA410NZ kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FDMA410NZ haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
FDMA410NZ Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FDMA410NZ
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-MICROFET
Serie :
PowerTrench®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
9.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
23 mOhm @ 9.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
14nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1080pF @ 10V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2.4W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
6-MicroFET (2x2)
Paket / fall :
6-VDFN Exposed Pad
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