ON Semiconductor - FDMA410NZ

KEY Part #: K6419873

FDMA410NZ Preise (USD) [390893Stück Lager]

  • 1 pcs$0.09510
  • 3,000 pcs$0.09462

Artikelnummer:
FDMA410NZ
Hersteller:
ON Semiconductor
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-MICROFET.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Dioden - Gleichrichter - Single and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FDMA410NZ elektronische Komponenten. FDMA410NZ kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FDMA410NZ haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDMA410NZ Produkteigenschaften

Artikelnummer : FDMA410NZ
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-MICROFET
Serie : PowerTrench®
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 9.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 23 mOhm @ 9.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 14nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1080pF @ 10V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 2.4W (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 6-MicroFET (2x2)
Paket / fall : 6-VDFN Exposed Pad

Sie könnten auch interessiert sein an