DMT10H025SSS-13 Preise (USD) [336140Stück Lager]
- 1 pcs$0.11004
- Artikelnummer:
- DMT10H025SSS-13
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFETN-CHAN 100V SO-8.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Dioden - Gleichrichter - Single, Dioden - Zener - Single, Dioden - RF, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - Programmierbare Einheit, Dioden - Brückengleichrichter and Dioden - Zener - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
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DMT10H025SSS-13 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
DMT10H025SSS-13
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFETN-CHAN 100V SO-8
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
7.4A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
23 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
21.4nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1544pF @ 50V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
1.4W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
8-SO
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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