FDFMA3N109 Preise (USD) [296432Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- FDFMA3N109
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 30V 2.9A MICRO2X2.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FDFMA3N109 elektronische Komponenten. FDFMA3N109 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FDFMA3N109 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
FDFMA3N109 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FDFMA3N109
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 30V 2.9A MICRO2X2
Serie :
PowerTrench®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
2.9A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
123 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
3nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
220pF @ 15V
FET-Funktion :
Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.) :
1.5W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
6-MicroFET (2x2)
Paket / fall :
6-VDFN Exposed Pad
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