APT38F80L Preise (USD) [4862Stück Lager]
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- 100 pcs$7.20386
- Artikelnummer:
- APT38F80L
- Hersteller:
- Microsemi Corporation
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 800V 41A TO-264.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - IGBTs - Single, Dioden - Brückengleichrichter, Dioden - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single and Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation APT38F80L elektronische Komponenten. APT38F80L kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu APT38F80L haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
APT38F80L Produkteigenschaften
Artikelnummer :
APT38F80L
Hersteller :
Microsemi Corporation
Beschreibung :
MOSFET N-CH 800V 41A TO-264
Serie :
POWER MOS 8™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
41A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
240 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 2.5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
260nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
8070pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
1040W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-264 [L]
Paket / fall :
TO-264-3, TO-264AA
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