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- Artikelnummer:
- IXFX210N17T
- Hersteller:
- IXYS
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 170V 210A PLUS247.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Brückengleichrichter, Dioden - Zener - Single, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - JFETs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF and Transistoren - IGBTs - Module ...
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IXFX210N17T Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IXFX210N17T
Hersteller :
IXYS
Beschreibung :
MOSFET N-CH 170V 210A PLUS247
Serie :
GigaMOS™
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
170V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
210A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
7.5 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 4mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
285nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
18800pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
1150W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
PLUS247™-3
Paket / fall :
TO-247-3
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