STMicroelectronics - STB12NM50N

KEY Part #: K6404380

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    Artikelnummer:
    STB12NM50N
    Hersteller:
    STMicroelectronics
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - RF, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - IGBTs - Single, Thyristoren - Thyristoren and Dioden - Brückengleichrichter ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf STMicroelectronics STB12NM50N elektronische Komponenten. STB12NM50N kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu STB12NM50N haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    STB12NM50N Produkteigenschaften

    Artikelnummer : STB12NM50N
    Hersteller : STMicroelectronics
    Beschreibung : MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
    Serie : MDmesh™ II
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 500V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 11A (Tc)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 380 mOhm @ 5.5A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 30nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±25V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 940pF @ 50V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 100W (Tc)
    Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Surface Mount
    Supplier Device Package : D2PAK
    Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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