DMN3730UFB4-7 Preise (USD) [490925Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- DMN3730UFB4-7
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 30V 750MA DFN.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
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DMN3730UFB4-7 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
DMN3730UFB4-7
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET N-CH 30V 750MA DFN
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
750mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
460 mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
950mV @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
1.6nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
64.3pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
470mW (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
X2-DFN1006-3
Paket / fall :
3-XFDFN
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