BSC252N10NSFGATMA1 Preise (USD) [194119Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- BSC252N10NSFGATMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 100V 40A TDSON-8.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies BSC252N10NSFGATMA1 elektronische Komponenten. BSC252N10NSFGATMA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu BSC252N10NSFGATMA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
BSC252N10NSFGATMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
BSC252N10NSFGATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 40A TDSON-8
Serie :
OptiMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
7.2A (Ta), 40A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
25.2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 43µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
17nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1100pF @ 50V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
78W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-TDSON-8
Paket / fall :
8-PowerTDFN
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