ZXMN10A25KTC Preise (USD) [142190Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- ZXMN10A25KTC
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Wettbewerbsvorteil:
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ZXMN10A25KTC Produkteigenschaften
Artikelnummer :
ZXMN10A25KTC
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
4.2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
125 mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
17.16nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
859pF @ 50V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2.11W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
TO-252-3
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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