Microsemi Corporation - APTM100H45FT3G

KEY Part #: K6522575

APTM100H45FT3G Preise (USD) [1046Stück Lager]

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Artikelnummer:
APTM100H45FT3G
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP3.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - RF, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - JFETs, Dioden - Gleichrichter - Single, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single and Thyristoren - DIACs, SIDACs ...
Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTM100H45FT3G Produkteigenschaften

Artikelnummer : APTM100H45FT3G
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP3
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : 4 N-Channel (H-Bridge)
FET-Funktion : Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1000V (1kV)
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 18A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 540 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 2.5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 154nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 4350pF @ 25V
Leistung max : 357W
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : SP3
Supplier Device Package : SP3