Diodes Incorporated - DMN2028UFDH-7

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Artikelnummer:
DMN2028UFDH-7
Hersteller:
Diodes Incorporated
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 20V 6.8A POWERDI.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN2028UFDH-7 Produkteigenschaften

Artikelnummer : DMN2028UFDH-7
Hersteller : Diodes Incorporated
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 20V 6.8A POWERDI
Serie : Automotive, AEC-Q101
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 6.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 8.5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 151pF @ 10V
Leistung max : 1.1W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-PowerVDFN
Supplier Device Package : PowerDI3030-8

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