IPAW60R360P7SXKSA1 Preise (USD) [72496Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IPAW60R360P7SXKSA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CHANNEL 650V 9A TO220.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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IPAW60R360P7SXKSA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPAW60R360P7SXKSA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CHANNEL 650V 9A TO220
Serie :
CoolMOS™ P7
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
9A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
360 mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 140µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
13nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
555pF @ 400V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
22W (Tc)
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
PG-TO220 Full Pack
Paket / fall :
TO-220-3 Full Pack
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