SI4100DY-T1-GE3 Preise (USD) [150065Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- SI4100DY-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Leistungstreibermodule, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Dioden - Brückengleichrichter, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - IGBTs - Single and Transistoren - Bipolar (BJT) - RF ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix SI4100DY-T1-GE3 elektronische Komponenten. SI4100DY-T1-GE3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SI4100DY-T1-GE3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
SI4100DY-T1-GE3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SI4100DY-T1-GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC
Serie :
TrenchFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
6.8A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
63 mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
20nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
600pF @ 50V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2.5W (Ta), 6W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
8-SO
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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