Taiwan Semiconductor Corporation - TSM150NB04CR RLG

KEY Part #: K6403341

TSM150NB04CR RLG Preise (USD) [378506Stück Lager]

  • 1 pcs$0.09772

Artikelnummer:
TSM150NB04CR RLG
Hersteller:
Taiwan Semiconductor Corporation
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - spezieller Zweck, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Dioden - Gleichrichter - Single, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - JFETs, Leistungstreibermodule and Dioden - RF ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Taiwan Semiconductor Corporation TSM150NB04CR RLG elektronische Komponenten. TSM150NB04CR RLG kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu TSM150NB04CR RLG haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TSM150NB04CR RLG Produkteigenschaften

Artikelnummer : TSM150NB04CR RLG
Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation
Beschreibung : MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 10A (Ta), 41A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 15 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 19nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1092pF @ 20V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 3.1W (Ta), 56W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 8-PDFN (5x6)
Paket / fall : 8-PowerTDFN