SQ3987EV-T1_GE3 Preise (USD) [344842Stück Lager]
- 1 pcs$0.10726
- Artikelnummer:
- SQ3987EV-T1_GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2 P-CHANNEL 30V 3A 6TSOP.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioden - Zener - Arrays, Dioden - Zener - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Leistungstreibermodule and Transistoren - spezieller Zweck ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix SQ3987EV-T1_GE3 elektronische Komponenten. SQ3987EV-T1_GE3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SQ3987EV-T1_GE3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
SQ3987EV-T1_GE3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SQ3987EV-T1_GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET 2 P-CHANNEL 30V 3A 6TSOP
Serie :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
133 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
12.2nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
570pF @ 15V
Leistung max :
1.67W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Supplier Device Package :
6-TSOP
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