IXFX60N55Q2 Preise (USD) [4257Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IXFX60N55Q2
- Hersteller:
- IXYS
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 550V 60A PLUS247.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf IXYS IXFX60N55Q2 elektronische Komponenten. IXFX60N55Q2 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IXFX60N55Q2 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IXFX60N55Q2 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IXFX60N55Q2
Hersteller :
IXYS
Beschreibung :
MOSFET N-CH 550V 60A PLUS247
Serie :
HiPerFET™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
550V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
60A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
88 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 8mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
200nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
6900pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
735W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
PLUS247™-3
Paket / fall :
TO-247-3
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