TK040N65Z,S1F Preise (USD) [8501Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- TK040N65Z,S1F
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Detaillierte Beschreibung:
- PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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TK040N65Z,S1F Produkteigenschaften
Artikelnummer :
TK040N65Z,S1F
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
57A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
40 mOhm @ 28.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 2.85mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
105nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
6250pF @ 300V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
360W (Tc)
Betriebstemperatur :
150°C
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-247
Paket / fall :
TO-247-3
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