SIZ920DT-T1-GE3 Preise (USD) [4014Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- SIZ920DT-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 30V 40A PWRPAIR.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioden - RF, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Thyristoren - Thyristoren and Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix SIZ920DT-T1-GE3 elektronische Komponenten. SIZ920DT-T1-GE3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SIZ920DT-T1-GE3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
SIZ920DT-T1-GE3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SIZ920DT-T1-GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 30V 40A PWRPAIR
Serie :
TrenchFET®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion :
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
40A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
7.1 mOhm @ 18.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
35nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1260pF @ 15V
Leistung max :
39W, 100W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-PowerWDFN
Supplier Device Package :
8-PowerPair® (6x5)
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