Artikelnummer :
SCT3030ALGC11
Hersteller :
Rohm Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET NCH 650V 70A TO247N
Technologie :
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
70A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
39 mOhm @ 27A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.6V @ 13.3mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
104nC @ 18V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1526pF @ 500V
Verlustleistung (max.) :
262W (Tc)
Betriebstemperatur :
175°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-247N