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- Artikelnummer:
- IRF3709L
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 30V 90A TO-262.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - JFETs, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - spezieller Zweck, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Thyristoren - TRIACs, Dioden - Gleichrichter - Arrays and Transistoren - IGBTs - Module ...
- Wettbewerbsvorteil:
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IRF3709L Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IRF3709L
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 30V 90A TO-262
Serie :
HEXFET®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
90A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
9 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
41nC @ 5V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2672pF @ 16V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
3.1W (Ta), 120W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-262
Paket / fall :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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