Infineon Technologies - AUIRF7665S2TR

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Artikelnummer:
AUIRF7665S2TR
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 77A DIRECTFET2.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AUIRF7665S2TR Produkteigenschaften

Artikelnummer : AUIRF7665S2TR
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 77A DIRECTFET2
Serie : HEXFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 4.1A (Ta), 14.4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 62 mOhm @ 8.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 25µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 13nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 515pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 2.4W (Ta), 30W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : DIRECTFET SB
Paket / fall : DirectFET™ Isometric SB

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