IXYS - IXTA08N100D2HV

KEY Part #: K6395195

IXTA08N100D2HV Preise (USD) [41564Stück Lager]

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Artikelnummer:
IXTA08N100D2HV
Hersteller:
IXYS
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF and Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann ...
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTA08N100D2HV Produkteigenschaften

Artikelnummer : IXTA08N100D2HV
Hersteller : IXYS
Beschreibung : MOSFET N-CH
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1000V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 800mA (Tj)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 0V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 21 Ohm @ 400mA, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 25µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 14.6nC @ 5V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 325pF @ 25V
FET-Funktion : Depletion Mode
Verlustleistung (max.) : 60W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : TO-263HV
Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB