BSZ086P03NS3EGATMA1 Preise (USD) [279894Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- BSZ086P03NS3EGATMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
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BSZ086P03NS3EGATMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
BSZ086P03NS3EGATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8
Serie :
OptiMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
13.5A (Ta), 40A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8.6 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.1V @ 105µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
57.5nC @ 10V
Vgs (Max) :
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
4785pF @ 15V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2.1W (Ta), 69W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-TSDSON-8
Paket / fall :
8-PowerTDFN
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