DMN100-7-F Preise (USD) [363640Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- DMN100-7-F
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Dioden - Zener - Arrays, Dioden - Brückengleichrichter, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Thyristoren - Thyristoren, Thyristoren - TRIACs and Dioden - Gleichrichter - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
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DMN100-7-F Produkteigenschaften
Artikelnummer :
DMN100-7-F
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
1.1A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
240 mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
5.5nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
150pF @ 10V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
500mW (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
SC-59-3
Paket / fall :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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