FDC021N30 Preise (USD) [795181Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- FDC021N30
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- PT8 N 30V/20V MOSFET.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FDC021N30 elektronische Komponenten. FDC021N30 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FDC021N30 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
FDC021N30 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FDC021N30
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
PT8 N 30V/20V MOSFET
Serie :
PowerTrench®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
6.1A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
26 mOhm @ 6.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
10.8nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
710pF @ 15V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
700mW (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
SuperSOT™-6
Paket / fall :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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