Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-GB150TH120U

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VS-GB150TH120U Preise (USD) [665Stück Lager]

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Artikelnummer:
VS-GB150TH120U
Hersteller:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Detaillierte Beschreibung:
IGBT 1200V 280A 1147W INT-A-PAK.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
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Familienkategorien:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-GB150TH120U Produkteigenschaften

Artikelnummer : VS-GB150TH120U
Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung : IGBT 1200V 280A 1147W INT-A-PAK
Serie : -
Teilestatus : Active
IGBT-Typ : -
Aufbau : Half Bridge
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 280A
Leistung max : 1147W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 3.6V @ 15V, 150A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 5mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce : 12.7nF @ 30V
Eingang : Standard
NTC-Thermistor : No
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : Double INT-A-PAK (3 + 4)
Supplier Device Package : Double INT-A-PAK

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