Diodes Incorporated - DMG7N65SCTI

KEY Part #: K6418920

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Artikelnummer:
DMG7N65SCTI
Hersteller:
Diodes Incorporated
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 7.7A ITO220AB.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMG7N65SCTI Produkteigenschaften

Artikelnummer : DMG7N65SCTI
Hersteller : Diodes Incorporated
Beschreibung : MOSFET N-CH 650V 7.7A ITO220AB
Serie : Automotive, AEC-Q101
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 7.7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.4 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 25.2nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 886pF @ 50V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 28W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : ITO-220AB
Paket / fall : TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab