Vishay Siliconix - SI4948BEY-T1-GE3

KEY Part #: K6522093

SI4948BEY-T1-GE3 Preise (USD) [150065Stück Lager]

  • 1 pcs$0.24648
  • 2,500 pcs$0.23145

Artikelnummer:
SI4948BEY-T1-GE3
Hersteller:
Vishay Siliconix
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8-SOIC.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Dioden - RF, Dioden - Gleichrichter - Single, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - JFETs and Thyristoren - Thyristoren ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix SI4948BEY-T1-GE3 elektronische Komponenten. SI4948BEY-T1-GE3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SI4948BEY-T1-GE3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI4948BEY-T1-GE3 Produkteigenschaften

Artikelnummer : SI4948BEY-T1-GE3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8-SOIC
Serie : TrenchFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 120 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 22nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -
Leistung max : 1.4W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package : 8-SO