TK35E10K3(S1SS-Q) Preise (USD) [70977Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- TK35E10K3(S1SS-Q)
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 100V 35A TO-220AB.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Module, Dioden - Zener - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Thyristoren - Thyristoren, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - IGBTs - Single and Dioden - Gleichrichter - Single ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Toshiba Semiconductor and Storage TK35E10K3(S1SS-Q) elektronische Komponenten. TK35E10K3(S1SS-Q) kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu TK35E10K3(S1SS-Q) haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
TK35E10K3(S1SS-Q) Produkteigenschaften
Artikelnummer :
TK35E10K3(S1SS-Q)
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 35A TO-220AB
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
-
Technologie :
-
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
-
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
-
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (Max) :
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
-
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
-
Betriebstemperatur :
-
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-220
Paket / fall :
TO-220-3
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