APTMC120AM16CD3AG Preise (USD) [4073Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- APTMC120AM16CD3AG
- Hersteller:
- Microsemi Corporation
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 1200V 131A D3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Leistungstreibermodule, Thyristoren - SCRs - Module, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) and Transistoren - IGBTs - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation APTMC120AM16CD3AG elektronische Komponenten. APTMC120AM16CD3AG kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu APTMC120AM16CD3AG haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
APTMC120AM16CD3AG Produkteigenschaften
Artikelnummer :
APTMC120AM16CD3AG
Hersteller :
Microsemi Corporation
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 1200V 131A D3
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion :
Silicon Carbide (SiC)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
1200V (1.2kV)
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
20 mOhm @ 100A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 5mA (Typ)
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
246nC @ 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
4750pF @ 1000V
Leistung max :
625W
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Chassis Mount
Paket / fall :
D-3 Module
Supplier Device Package :
D3
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