APTMC120AM16CD3AG Preise (USD) [4073Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- APTMC120AM16CD3AG
- Hersteller:
- Microsemi Corporation
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 1200V 131A D3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - IGBTs - Single, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Thyristoren - SCRs - Module and Thyristoren - TRIACs ...
- Wettbewerbsvorteil:
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APTMC120AM16CD3AG Produkteigenschaften
Artikelnummer :
APTMC120AM16CD3AG
Hersteller :
Microsemi Corporation
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 1200V 131A D3
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion :
Silicon Carbide (SiC)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
1200V (1.2kV)
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
20 mOhm @ 100A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 5mA (Typ)
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
246nC @ 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
4750pF @ 1000V
Leistung max :
625W
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Chassis Mount
Paket / fall :
D-3 Module
Supplier Device Package :
D3
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