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Microsemi Corporation - APTC60HM70RT3G

KEY Part #: K6522663

APTC60HM70RT3G Preise (USD) [1784Stück Lager]

  • 1 pcs$24.27363
  • 100 pcs$23.66546
Artikelnummer:
APTC60HM70RT3G
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET 4N-CH 600V 39A SP3F.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Dioden - Zener - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Dioden - Gleichrichter - Single and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation APTC60HM70RT3G elektronische Komponenten. APTC60HM70RT3G kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu APTC60HM70RT3G haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTC60HM70RT3G Produkteigenschaften

Artikelnummer : APTC60HM70RT3G
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : MOSFET 4N-CH 600V 39A SP3F
Serie : CoolMOS™
Teilestatus : Active
FET-Typ : 4 N-Channel (H-Bridge) + Bridge Rectifier
FET-Funktion : Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 39A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 70 mOhm @ 39A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.9V @ 2.7mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 259nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 7000pF @ 25V
Leistung max : 250W
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : -
Paket / fall : SP3
Supplier Device Package : SP3

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