IRL6372TRPBF Preise (USD) [239454Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IRL6372TRPBF
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SOIC.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IRL6372TRPBF elektronische Komponenten. IRL6372TRPBF kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IRL6372TRPBF haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IRL6372TRPBF Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IRL6372TRPBF
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SOIC
Serie :
HEXFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
8.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
17.9 mOhm @ 8.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.1V @ 10µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
11nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1020pF @ 25V
Leistung max :
2W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package :
8-SO
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