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- Artikelnummer:
- IPD50R280CEATMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO252.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - spezieller Zweck, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - JFETs, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Dioden - Gleichrichter - Arrays and Thyristoren - SCRs - Module ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IPD50R280CEATMA1 elektronische Komponenten. IPD50R280CEATMA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IPD50R280CEATMA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IPD50R280CEATMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPD50R280CEATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO252
Serie :
CoolMOS™ CE
Teilestatus :
Discontinued at Digi-Key
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
500V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
13A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
280 mOhm @ 4.2A, 13V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 350µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
32.6nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
773pF @ 100V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
119W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-TO252-3
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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