2N7002BKW,115 Preise (USD) [1344083Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- 2N7002BKW,115
- Hersteller:
- Nexperia USA Inc.
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 60V 310MA SOT323.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Dioden - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - Programmierbare Einheit and Transistoren - FETs, MOSFETs - HF ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Nexperia USA Inc. 2N7002BKW,115 elektronische Komponenten. 2N7002BKW,115 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu 2N7002BKW,115 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
2N7002BKW,115 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
2N7002BKW,115
Hersteller :
Nexperia USA Inc.
Beschreibung :
MOSFET N-CH 60V 310MA SOT323
Serie :
Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
310mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.6 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
0.6nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
50pF @ 10V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
275mW (Ta)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
SC-70
Paket / fall :
SC-70, SOT-323
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