Renesas Electronics America - HAT2169H-EL-E

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Artikelnummer:
HAT2169H-EL-E
Hersteller:
Renesas Electronics America
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Zener - Arrays, Leistungstreibermodule, Transistoren - JFETs, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - IGBTs - Single and Thyristoren - Thyristoren ...
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

HAT2169H-EL-E Produkteigenschaften

Artikelnummer : HAT2169H-EL-E
Hersteller : Renesas Electronics America
Beschreibung : MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK
Serie : -
Teilestatus : Not For New Designs
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 50A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.5 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 45nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 6650pF @ 10V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 30W (Tc)
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : LFPAK
Paket / fall : SC-100, SOT-669

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