FDME910PZT Preise (USD) [314886Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- FDME910PZT
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET P CH 20V 8A MICROFET.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - RF, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Thyristoren - Thyristoren, Thyristoren - DIACs, SIDACs and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FDME910PZT elektronische Komponenten. FDME910PZT kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FDME910PZT haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
FDME910PZT Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FDME910PZT
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET P CH 20V 8A MICROFET
Serie :
PowerTrench®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
24 mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
21nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2110pF @ 10V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2.1W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
MicroFet 1.6x1.6 Thin
Paket / fall :
6-PowerUFDFN
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