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- Artikelnummer:
- SPD06N80C3BTMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 800V 6A DPAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - TRIACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Thyristoren - DIACs, SIDACs and Dioden - Brückengleichrichter ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies SPD06N80C3BTMA1 elektronische Komponenten. SPD06N80C3BTMA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SPD06N80C3BTMA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
SPD06N80C3BTMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SPD06N80C3BTMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 800V 6A DPAK
Serie :
CoolMOS™
Teilestatus :
Discontinued at Digi-Key
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
6A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
900 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.9V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
41nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
785pF @ 100V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
83W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-TO252-3
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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