ON Semiconductor - FQP70N10

KEY Part #: K6392738

FQP70N10 Preise (USD) [37709Stück Lager]

  • 1 pcs$1.00344
  • 10 pcs$0.90728
  • 100 pcs$0.72892
  • 500 pcs$0.56694
  • 1,000 pcs$0.46974

Artikelnummer:
FQP70N10
Hersteller:
ON Semiconductor
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 57A TO-220.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - spezieller Zweck and Transistoren - Bipolar (BJT) - RF ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FQP70N10 elektronische Komponenten. FQP70N10 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FQP70N10 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQP70N10 Produkteigenschaften

Artikelnummer : FQP70N10
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 57A TO-220
Serie : QFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 57A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 23 mOhm @ 28.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 110nC @ 10V
Vgs (Max) : ±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 3300pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 160W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-220-3
Paket / fall : TO-220-3

Sie könnten auch interessiert sein an