SQ3985EV-T1_GE3 Preise (USD) [344842Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- SQ3985EV-T1_GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2 P-CH 20V 3.9A 6TSOP.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Thyristoren - TRIACs, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Dioden - Zener - Arrays, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Leistungstreibermodule and Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix SQ3985EV-T1_GE3 elektronische Komponenten. SQ3985EV-T1_GE3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SQ3985EV-T1_GE3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
SQ3985EV-T1_GE3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SQ3985EV-T1_GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET 2 P-CH 20V 3.9A 6TSOP
Serie :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
145 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
4.6nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
350pF @ 10V
Leistung max :
3W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Supplier Device Package :
6-TSOP
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