UPA2815T1S-E2-AT Preise (USD) [216534Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- UPA2815T1S-E2-AT
- Hersteller:
- Renesas Electronics America
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET P-CH 30V 21A 8HWSON.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - IGBTs - Arrays, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) and Transistoren - Programmierbare Einheit ...
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UPA2815T1S-E2-AT Produkteigenschaften
Artikelnummer :
UPA2815T1S-E2-AT
Hersteller :
Renesas Electronics America
Beschreibung :
MOSFET P-CH 30V 21A 8HWSON
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
21A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
11 mOhm @ 21A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
47nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1760pF @ 10V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
1.5W (Ta)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
8-HWSON (3.3x3.3)
Paket / fall :
8-PowerWDFN
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