IGO60R070D1AUMA1 Preise (USD) [5242Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IGO60R070D1AUMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- IC GAN FET 600V 60A 20DSO.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - RF, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioden - Zener - Single, Transistoren - JFETs, Transistoren - Programmierbare Einheit, Dioden - Gleichrichter - Arrays and Thyristoren - TRIACs ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IGO60R070D1AUMA1 elektronische Komponenten. IGO60R070D1AUMA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IGO60R070D1AUMA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IGO60R070D1AUMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IGO60R070D1AUMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
IC GAN FET 600V 60A 20DSO
Serie :
CoolGaN™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
31A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
-
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.6V @ 2.6mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (Max) :
-10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
380pF @ 400V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
125W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-DSO-20-85
Paket / fall :
20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)
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