SISS70DN-T1-GE3 Preise (USD) [145657Stück Lager]
- 1 pcs$0.25393
- Artikelnummer:
- SISS70DN-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 125V.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - spezieller Zweck, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Dioden - RF and Leistungstreibermodule ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix SISS70DN-T1-GE3 elektronische Komponenten. SISS70DN-T1-GE3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SISS70DN-T1-GE3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
SISS70DN-T1-GE3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SISS70DN-T1-GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET N-CH 125V
Serie :
TrenchFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
125V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
8.5A (Ta), 31A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
29.8 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
15.3nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
535pF @ 62.5V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PowerPAK® 1212-8S
Paket / fall :
PowerPAK® 1212-8S
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