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- Artikelnummer:
- IPD30N03S2L07ATMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - DIACs, SIDACs, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Dioden - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Thyristoren - Thyristoren, Leistungstreibermodule and Transistoren - IGBTs - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IPD30N03S2L07ATMA1 elektronische Komponenten. IPD30N03S2L07ATMA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IPD30N03S2L07ATMA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IPD30N03S2L07ATMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPD30N03S2L07ATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Serie :
OptiMOS™
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
30A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6.7 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 85µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
68nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1900pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
136W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-TO252-3
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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