FQB47P06TM-AM002 Preise (USD) [54763Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- FQB47P06TM-AM002
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET P-CH 60V 47A D2PAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Arrays, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioden - Brückengleichrichter, Dioden - Zener - Single, Transistoren - spezieller Zweck, Thyristoren - SCRs - Module and Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FQB47P06TM-AM002 elektronische Komponenten. FQB47P06TM-AM002 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FQB47P06TM-AM002 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
FQB47P06TM-AM002 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FQB47P06TM-AM002
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET P-CH 60V 47A D2PAK
Serie :
QFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
47A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
26 mOhm @ 23.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
110nC @ 10V
Vgs (Max) :
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
3600pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
3.75W (Ta), 160W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
D²PAK (TO-263AB)
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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