Rohm Semiconductor - RS1E350BNTB

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Artikelnummer:
RS1E350BNTB
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Dioden - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Dioden - Zener - Single and Transistoren - spezieller Zweck ...
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RS1E350BNTB Produkteigenschaften

Artikelnummer : RS1E350BNTB
Hersteller : Rohm Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 35A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.7 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 185nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 7900pF @ 15V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 35W (Tc)
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 8-HSOP
Paket / fall : 8-PowerTDFN

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